ذاكرة الوصول العشوائي المغناطيسية MRAM

تعد ذاكرة الوصول العشوائي المغناطيسية Magneto-resistive Random Access Memory ((MRAM إحدى تقنيات الذاكرة القادرة على الاحتفاظ بالمعلومات حتى عند غياب التغذية الكهربائية، وهي قيد التطوير منذ عام 1990م.

وعلى عكس التقنيات المُستخدَمة في شرائح RAM التقليدية؛ لا تُخزَّن البيانات في صورة شحنة كهربائية أو تدفق تيارات كهربائية آنية، بل عن طريق عناصر تخزين مغناطيسية.

تعتمد هذه التقنية على قدرة الإلكترون -الذي يُعدّ أصغر مغناطيس موجود- على تغيير اتجاهه محددًا قيمة 0 أو 1 بحسب دورانه، وبذلك، تكون هذه التقنية جامعة لخصائص الكثافة التخزينية الموجودة لدى ذاكرة التخزين الدائمة، إضافة إلى خاصية السرعة التي تتمتع بها ذواكر الوصول العشوائي، ومن ثم فهي مؤهلة لتكون ذاكرة عامة.

يمكن للذاكرة MRAM مقاومةُ الإشعاع العالي، ويمكن أن تعمل في درجات حرارة مرتفعة جدًّا، فضلًا عن مقاومتها للعبث، الأمر الذي يجعل الذاكرة MRAM مناسبة جدًّا للتطبيقات العسكرية والفضائية.

اعتمد الجيل الأول من الذاكرة MRAM على استخدام حقل مغناطيسي لتغيير دوران الإلكترون. في حين اعتمد الجيل الثاني على تيار لتغيير استقطاب الإلكترون، وسميت ذواكر هذا الجيل بذواكر الوصول العشوائي المغناطيسية المعتمدة على نقل عزم الدوران وتدويره (STT-MRAM) اختصارًا لـ Spin-Transfer Torque MRAM، إذ أصبحت أكثر سرعة وكفاءة.

لا تزال الطريق نحو اكتمال هذه التقنية واعتمادها على نحو كامل طويلة، ولكن؛ شرائح MRAM موجودة في السوق، وتطورها عشرات الشركات وعديدٌ من الجامعات ومعاهد الأبحاث في أنحاء العالم.

ويعتقد المناصرون لهذه التقنية أنّ الميزات التي تقدّمها ستجعلها التقنية المسيطرة في العالم.

المصادر:

1- هنا

2- هنا

3- هنا

4- هنا