ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة SRAM

تعدُّ ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة Static Random Access Memory إحدى تقنيات ذاكرة الوصول العشوائي RAM التي تبقى البيانات ضمنها ثابتة طالما تُوفَّر الطاقة الكهربائية لشريحة الذاكرة، وتختلف بذلك عن ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية Dynamic Random Access Memory (DRAM) التي تحتاج إلى تحديث البيانات المُخزَّنة فيها باستمرار.

ولمّا كانت الذاكرة SRAM تخزن البيانات بطريقة ساكنة؛ فهي أكثر سرعة من الذاكرة DRAM وأقل استهلاكًا للطاقة، ولكن؛ تكون كلفة تصنيع الذاكرة SRAM أعلى لأن بنيتها أكثر تعقيدًا.

تحدُّ البنية المعقدة للذاكرة SRAM من كمية البيانات التي يمكن لشريحة الذاكرة أن تُخزّنها؛ أي لا يمكن لشرائح الذاكرة SRAM تخزين الكمية نفسها من البيانات التي تخزنها شرائح الذاكرة DRAM عند تساوي المساحة الفيزيائية، ولذلك؛ تُستعمَل شرائح DRAM بوصفها ذاكرة رئيسية لأجهزة الحاسب الشخصي، في حين تُستعمَل شرائح SRAM بوصفها ذاكرة تخزين مؤقت cashe لوحدة المعالجة المركزية، أو بوصفها وحدات تخزين مؤقت Buffers للأقراص الصلبة، ولها استخدامات عديدة أخرى ضمن الأجهزة الإلكترونية وألعاب الأطفال.

يجب الانتباه إلى عدم الخلط بين ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة SRAM وذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية المتزامنة SDRAM (أحد أنواع الذاكرة DRAM). 

المصدر: هنا