الترانزستور

ثم سننتقل لنوع آخر من الترانزستورات وهي ترانزستورات تأثير الحقل الكهربائي " Field Effect Transistor FET”، والتي تعتبر من أكثر العناصر الالكترونية المستخدمة حالياً نظراً لميزاتها وخواصها الممتازة، لذلك سنتناولها في عدة مقالات مُفَصلين في نوعيها:

* ترانزستور تأثير الحقل الكهربائي ذو الوصلة “Junction Field-Effect Transistor JFET ".

* ترانزستور تأثير الحقل الكهربائي ذو البوابة المعزولة “Insulated Gate Field-Effect Transistor IGFET “، وهو معروف باسم ترانزستور تأثير الحقل الكهربائي نوع معدن – أوكسيد نصف ناقل Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor MOSFET”“.

وستتضمن السلسلة أيضاً مقالات عن ترانزستور القاعدة المعزولة “Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT “، الذي يعتبر نوعاً هجيناً من الترانزستورات ثنائية الوصلة ” Bipolar Junction Transistor BJT” وترانزستورات تأثير الحقل الكهربائي " Field Effect Transistor FET ".